$0 \ K$ તાપમાને આંતરિક (intrinsic) અર્ધવાહક કેવી રીતે વર્તે છે?

કાર્બન, સિલિકોન અને જર્મેનિયમના પરમાણુઓમાં દરેક પાસે ચાર વેલેન્સ ઇલેક્ટ્રોન હોય છે. તેમના વેલેન્સ અને કન્ડક્શન બેન્ડ વચ્ચેના એનર્જી બેન્ડ ગેપને અનુક્રમે $(E_g)_C$, $(E_g)_{Si}$ અને $(E_g)_{Ge}$ દ્વારા દર્શાવવામાં આવે છે. તેમના કિસ્સામાં નીચેનામાંથી કયો સંબંધ સાચો છે?

આકૃતિમાં દર્શાવેલ ઉર્જા બેન્ડ આકૃતિઓમાંથી કઈ અર્ધવાહક (semiconductor) માટે છે?

અર્ધવાહકોમાં મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા $(n)$ અને તેના તાપમાન $(T)$ વચ્ચેનો સંબંધ શું છે?

સિલિકોનનો એનર્જી ગેપ $1.14 \ eV$ છે. જે મહત્તમ તરંગલંબાઇ પર સિલિકોન ઉર્જાનું શોષણ કરવાનું શરૂ કરશે તે.....$\mathring A$ છે.

હીરા, સિલિકોન અને જર્મેનિયમ માટે વેલેન્સ બેન્ડ અને કન્ડક્શન બેન્ડ વચ્ચેના એનર્જી ગેપ $(E_g)$ નો ક્રમ કયો છે?